Cadmium-Tellurid, (Abk. CdTe) ein II-VI-Verbindungs-Halbleiter mit einer Bandlücke von 1.45 eV und hohem Absorptionsvermögen. Absorption; Dünnschichtsolarzelle; Verbindungs-Halbleiter

CdTe, Abk. für Cadmium-Tellurid.

c-Si, Abk. crystalline-silicon, engl. für

CIGS, Abk. Copper Indium Gallium Diselenide engl. für Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid.

CIS, Abk. für Copper-Indium-Diselenide, engl. für Kupfer-Indium-Diselenid.

Czochralsky-Verfahren, Verfahren zur Herstellung von Silizium-Einkristallen, bei dem ein Kristall aus der Silizium-Schmelze gezogen wird. Unter Zieh- und Drehbewegungen scheidet sich an einem Kristallisationskeim ein zylindrischer Silizium-Einkristall ab. Für die Schmelze werden bereits hochreine polykristalline Siliziumstücke verwendet, denen je nach gewünschter Dotierung des Einkristalls hochdotiertes Silizium zugegeben wird.